الکترو ترسیب لایه های نازک اکسید تنگستن ونانو کامپوزیت اکسید تنگستن/نقره و مطالعه خواص الکتروکاتالیزی آنها

اثر افزودنی های آلی بر خواص ساختاری و الکتروکرومیکی لایه های نازک اکسید تنگستن

بررسی الکترواپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

در این مطالعه لایه­های نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلأ در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف sno2:f جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت قرار گرفته­اند. همچنین این لایه­ها به منظور بررسی میزان تغییر گاف انرژی با دما، در دماهای 120، 300 و 500 درجه سیلسیوس ...

بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

بررسی الکترواپتیکی لایه‌های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

In this study, tungsten oxide and vanadium oxide electrochromic thin films were placed in vacuum and in a thickness of 200 nm on a transparent conductive substrate of SnO2:F using the physical method of thermal evaporation. Then they were studied for the optical characteristics in the wavelength range from 400 to 700 nm and for their electrical potentials in the range form +1.5 to -1.5 volts. T...

مطالعه خواص فیزیکی لایه های نازک اکسید تنگستن و کاربردهای آن

در این پایان نامه به مطالعه ی مورفولوژی سطح، خواص ساختاری،اپتیکی، الکتریکی و ترموالکتریکی و همچنین بررسی خاصیت الکتروکرومیکی به عنوان کاربرد برای نمونه های اکسید تنگستن به روش اسپری پایرولیز پرداخته شده است. برای مشخصه یابی نمونه ها از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی( fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis ، مشخصه جریان_ولتاژ (i-v) و آزمایش سیبک استفاده شده است. در نمونه ...

بهبود رفتار ترشوندگی سل حاوی تنگستن برای تهیه لایه‌های نازک اکسید تنگستن

در این کار لایه�های اکسید تنگستن بر روی الکترود شفاف اکسیدی و همچنین شیشه نوری با استفاده از روش فروبری در سُل?های پایه آبی و الکلی آماده و سپس در 400 درجه عملیات حرارتی گردیدند. ترشوندگی لایه?های مورد استفاده توسط سُل?های آماده شده نیز با مشاهدات چشمی و تصویربرداری بررسی شد. لایه�های آماده شده با میکروسکوپ الکترونی روبشی، پراش اشعه X و همچنین ولتامتری چرخه�ای در محلول اسیدسولفوریک مورد مطالعه قر...